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半导体后端工艺｜第十一篇（完结篇）：半导体封装的可靠性测试及标准

本文将介绍半导体的可靠性测试及标准。除了详细介绍如何评估和制定相关标准以外，还将介绍针对半导体封装预期寿命

2024-08-28 |SK海力士,半导体封装,可靠性测试

存储系统的性能各异，受多种因素影响。在这篇博客文章中，我们将探讨影响存储系统在AI领域的表现的几大因素

2024-08-27 |AI,存储,美光科技

本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。

2024-08-27 |SiC

本文将系统介绍探讨10BASE-T1S如何在工业和汽车中运作，本文为第一部分，将介绍工业4.0概述、汽车区域控制与全以太网化、相关标准等。

2024-08-27 |10BASE-T1S,安森美,工业4.0

细心的朋友可能会发现，上一篇写的计算方法针对的是单次的浪涌，比如Surge test一般两次浪涌之间会有30~60 s的间隔时间

2024-08-27 |TVS,Littelfuse

本文将探讨如何选择适合的TVS和TSS器件，为系统设计提供可靠的解决方案。

2024-08-23 |TVS二极管,上海贝岭,智能电表

本文讨论两种常见保护电路，以及这些电路的实施会如何影响电流检测放大器的精度。

2024-08-23 |电流检测,放大器,过压保护电路

小信号 RF 放大器的设计可以采用共基极、共发射极或共集电极配置。本文将重点介绍共基极小信号 RF 放大器设计

2024-08-23 |RF放大器,Cadence

探讨了人工智能（AI）的普及给嵌入式设计人员带来的新挑战。在创建“边缘机器学习（ML）”应用时，设计人员必须确保其能有效运行，同时最大限度地降低处理器和存储开销

2024-08-22 |AI,Microchip,嵌入式设计

本文将指出这些基础。它给出了一个理想的一阶低通RC滤波器的仿真结果，然后总结了学生可能遇到的危险。

2024-08-22 |低通滤波器,DigiKey

本文将深入研究这些多样化的ADAS解决方案，同时探讨Murata (村田制作所) 提供支持这些技术进步的相关解决方案。

2024-08-22 |ADAS,艾睿电子,自动驾驶

精度、分辨率和重复性是衡量传感器性能指标的关键参数。本文将以温度传感器为例进行深入探讨。

2024-08-21 |传感器,中科银河芯

在本文中，我们将重点介绍每种封装类型的一些特性以及它们满足哪些应用要求。

2024-08-21 |开关稳压器,德州仪器,LDO

IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E

2024-08-20 |IGBT,英飞凌

本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题，重点关注功率晶体管和自举电容。

2024-08-20 |ADI,自举电容,开关稳压器