肖特基二极管

本文文章将带你一起去探索神秘的肖特基二极管特性。

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

日前，Vishay推出超小型可润湿侧翼DFN1006-2A塑料封装新型表面贴装小信号二极管---40 V BAS40L肖特基二极管和100 V BAS16L。这两款二极管节省空间，提高了散热性能，适用于汽车和工业应用，两款二极管均提供AEC-Q101认证版器件

LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装，可选择额定电流（10A、25A或50A)。 这些产品为电力电子系统设计人员提供了多种性能优势，包括接近于零的反向恢复电流、高浪涌保护能力和175°C的最大工作结温，因此它们非常适合需要提高效率、可靠性和简化热管理的应用。

肖特基二极管（SBD）具有反向恢复时间（trr）短、正向电压（VF）低等优点，但也存在泄漏电流大等缺点。东芝的SiC SBD使用改进的结构克服了这个缺点。

SBD是由半导体与金属的接合形成的单极器件。原则上，SBD没有反向恢复时间，不像使用pn结二极管会引起问题。因此，SBD有助于大幅度降低关断时的开关损耗。