碳化硅

电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市

Soitec 宣布与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。

本白皮书介绍了新半导体技术的开发背景，并提供了几个创新部件的示例，这些部件可以为当前和新兴功率转换应用提供适当的功能组合。

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

1875年，大清朝18岁的同治帝去世，年仅四岁的载湉登上帝位，年号光绪。也是在这一年，日本明治时代初期著名发明家，擅长制作机关人偶有“东洋的爱迪生”之称的田中久重也在日本东京也创立了一家工业制造所---田中制造所，1904年在此基础上成立芝浦制作所株式会社

UnitedSiC的UJ4C/SC 750V SiC FET系列现在已经拥有13种器件，同时其优异性能的覆盖范围更广了。该系列的首款产品是业内优异的新6mΩ RDS(on) SiC FET，还包含9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品。6mΩ产品具有一个新特征，它的短路耐受时间可靠，额定值为5µs

Nexperia今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。

在经过了长达四年的彻底转型，包括剥离掉原先占比三分之二的业务，并重新定位公司的总体核心战略，作为碳化硅（SiC）技术和制造全球领先企业的 Wolfspeed, Inc.正式宣布成立了。公司之前名称是 Cree, Inc.。公司在正式启用新的名称之后，将开展一系列、多渠道、整合市场营销活动。

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。