SiC

ROHM开发出“1200V 第４代SiC MOSFET”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。第4代SiC MOSFET实现了业界先进的低导通电阻，针对下一代电动汽车（xEV）高效且小型轻量化的电动系统

由于具备的多种属性，碳化硅（SiC）成为了电动车（EV）领域中重要的半导体技术，碳化硅器件的性能胜过传统硅（Si）器件。它的优势包括提高了电压额定值、功率转换效率出众和能处理更高温度。

目前，SiC MOSFET多为+15/-3V与+20/-5V电压驱动。要在Si MOSFET单电源正压驱动电路中中实现负压电路，可以在驱动回路中增加少量元件产生所需要的负压，如需要+15/-3V的驱动电压，则单电压需要提供+18V即可，具体有如下两种方案可以实现。

作为电子领域的核心成员，大功率半导体器件的技术与工艺对整个电力电子产业有着举足轻重的影响。在PCIM Asia 2021展上，东芝电子元件（上海）有限公司分立器件应用技术部门高级经理屈兴国，向我们分享了东芝在功率器件领域的相关进展。

Wolfspeed于近日宣布与致瞻科技（上海）有限公司的成功合作。致瞻科技（上海）有限公司是宽禁带器件应用和先进电能转换系统的创新者，该公司燃料电池汽车全碳化硅控制器采用了Wolfspeed® 1200V SiC MOSFET。

CleanWave200采用UnitedSiC共源共栅FET，能够在100kHz的频率下实现99.3%的系统能效，且每个开关位置并联三个器件。

通用汽车和 Wolfspeed于近日宣布达成一项战略供应商协议，约定 Wolfspeed 为通用汽车的未来电动汽车计划开发并提供碳化硅（SiC）功率器件解决方案。Wolfspeed SiC 器件将赋能通用汽车安装更高效的电动汽车动力系统，从而扩大其快速完善的电动汽车产品组合范围。

UnitedSiC第四代750V SiC FET现在以不同价格提供更多导通电阻选择，以便灵活应用于各种应用。

在本文中，我们将讨论最先进的低阻抗功率半导体开关，介绍其关键特性和应用优势。

比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。