MOSFET

作为MOSFET的一个特性，如果它在一定的能量、漏极电流ID范围内，并且低于额定结温Tch，则即使超过了额定电压VDSS，它也不会击穿损坏。

在实际应用中，工程师们都会遇到一个相同的困惑：器件的选型着实令人头疼。对此，小编感同身受。今天，我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点，在选型时应着重查看哪些参数。

允许损耗和漏极电流是MOSFET的典型最大额定值，计算如下。通过热阻和结温来计算功耗。漏极电流将采用欧姆定律，由计算得出的功耗和导通电阻进行计算。

基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。

SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。

针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”

许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素

在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS），在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）

关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。

（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）

Diodes为金属氧化物半导体场效晶体管推出节省空间、高热效率的 TOLL 封装，能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作，另外，80 瓦等级的 DMTH8001STLWQ 金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 比 TO263 占据的 PCB 面积少了百分之二十。