晶体管

在维也纳大学的新型晶体管中，电子和空穴都以一种非常特殊的方式被同时操纵。研究人员用一根极细的锗线，通过极其干净的高质量接口连接两个电极。在锗段上方放置了一个像传统晶体管中的门电极。

新厂房为地上3层结构，总建筑面积29,580㎡，计划于2022年1月开工，于2023年8月竣工。新厂房建成后，RWEM的总产能预计将增加约1.5倍。

IBM和三星声称他们已经在半导体设计方面取得了突破。在旧金山举行的IEDM会议的第一天，这两家公司公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。

许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道。

在N沟道结型场效应晶体管中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）

BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT（集成了晶体管和电阻器）可以减少安装面积。

晶体管大致分为三种类型：双极型、场效应型和绝缘栅双极型。双极晶体管属于电流驱动器件。场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）属于电压驱动器件。

晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。

由斯科尔沃（Skoltech）和 IBM 带领的一支国际研究团队，刚刚打造了一种极其节能的“光开关”（Optical Switch）。得益于对光子的操纵能力，其致力于取代传统计算机上的电子晶体管。除了省电和无需额外冷却，其速度还提升到了每秒 1 万亿次，较当前顶级商用晶体管领先 100~1000 倍。