808nm高功率半导体激光器芯片取得显著进展
judy-- 周五, 06/14/2024 - 10:36立芯光电封装的高功率808nm COS激光芯片,在QCW 86A下,输出功率高达81W,最大光电转换效率(PCE)达到57%
立芯光电封装的高功率808nm COS激光芯片,在QCW 86A下,输出功率高达81W,最大光电转换效率(PCE)达到57%
全新激光器实现更小公差,可帮助扫描和水平仪应用激光模块制造商降低工作电流和工作电压,从而减小电源功耗
SPL PL90AT03红外激光二极管的峰值功率达75W,孔径为110µm,在远距离激光雷达和飞行时间传感应用中表现出色
SPL S1L90H_3是首批孔径低至110µm的表面贴装边发射激光器,小孔径使应用能够产生窄光束,905nm红外技术针对短脉冲激光雷达应用进行了优化。
艾迈斯欧司朗的蓝激光二极管采用CoS封装,在常见的TO罐式封装之外,提供了更多小尺寸选择。
尽管最近在集成铌酸锂光子电路方面取得了所有的进展--从频率梳到频率转换器和调制器--但有一个大部件仍然令人沮丧地难以集成:激光器。长途电信网络、数据中心光互连和微波光子系统都依靠激光器来产生用于数据传输的光载体。
50Gbps DFB激光器能够在宽工作温度范围(-40℃至+90℃)内实现高速运行(50Gbps),并确保了小型光收发器的规格兼容性。与以往25Gbps的产品相比,该产品传输速度可达到2倍