氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）是一种化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）元素组成。它具有一些重要的电子特性，使其在电子器件和半导体应用中具有广泛的用途。
总的来说，氮化镓是一种具有出色电子性能和热性能的半导体材料，广泛应用于高性能电子器件和半导体行业中。随着技术的不断进步，预计其在各种领域中的应用将继续扩展。
在电子工程领域，向更高工作电压发展的趋势是由各种应用中对提高效率和功率密度的需求所推动的。
本文将探讨氮化镓材料以及氮化镓技术如何颠覆整个行业。
INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与 40V InnoGaN（INN040FQ043A）封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V
TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术，12V和24V输出型为承受峰值负载，可提供140%的功率
Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一
本文简要讨论了氮化镓的优势及其设计挑战。然后，介绍了Power Integrations的三个带有内部氮化镓功率开关的集成离线反激式转换开关 IC 平台
氮化镓技术将继续在国防和电信市场提供高性能和高效率。射频应用目前主要是碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件
新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求
Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。那么，如此小巧的TOLL封装能带来什么？
英诺赛科推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本