本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。
三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆
三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT和SiC器件
新的低电流模块，适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统，适用不同功率要求的大型工业设备
PAM可用于32T32R mMIMO天线，以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗，随着5G网络从城市中心向偏远地区的扩展，预计PAM将得到越来越多地部署
三菱电机的新型DFB-CAN的紧凑封装包含了一个DFB激光芯片和一个波长监测芯片。通过改进DFB激光芯片中用于温度控制的热交换元件并优化散热设计，实现了仅1W的低功耗。
三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品
六种紧凑型T-PM及模块阵容将为xEV带来更小、更高效的逆变器
三菱电机集团近日宣布，将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体
本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。