Vishay

新发布的器件具有超低的内部电抗，在大频率范围内的表现接近纯电阻器，Z/R曲线几乎平坦，频率可达70 GHz。

高速器件采用表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K

Tantamount™器件设计牢固，漏电流（DCL）低至0.005CV，具有严格的测试规范，确保严苛环境下可靠起爆

器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

屏蔽设计经过改进提高了额定电压，辐射电场减小20 dB，极性标识增强EMI控制

WSZ引线型器件可用作SMD组件，降低组装成本

器件脉宽失真低至6 ns，供电电流仅为2 mA，工作温度高达+110 °C，适于各种工业应用

可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺，符合MIL-STD-981 S级标准

第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效

通孔器件采用铁氧体磁芯技术，工作温度达 +155 °C，直流内阻低，有助于减少功耗，提高效率