SiC-FET

宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛

SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅

Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。那么，如此小巧的TOLL封装能带来什么？

SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性

750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态继电器和断路器。

本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比

如果询问任何功率电子器件设计师他们追求什么，转换效率通常都会名列前茅。高效率不仅能节能，还有附带好处，即打造更小、更轻、更便宜的产品

新型碳化硅 FET 采用标准分立式封装。提供业界额定值最低的 RDS（on），是同类产品中唯一提供5μs的可靠短路耐受时间额定值的器件

碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。