SiC

本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。

本文将聚焦于SiC材料的卓越属性，探讨安森美（onsemi）系列先进的封装技术为加速SiC导入新能源领域应用提供的参考范例。

本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。

在功率电子领域，一场技术变革正在发生：在越来越多的应用中，GaN和SiC等第三代宽禁带半导体器件正在逐步替代传统的硅（Si）基器件，扮演越来越重要的角色

本篇章带你了解SiC的晶体结构及其可能存在的晶体缺陷。

本文简要回顾了与经典的硅 (Si) 方案相比，SiC技术是如何提高效率和可靠性并降低成本的。

三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆

器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案

本文将为您介绍住宅ESS解决方案的市场趋势，以及艾睿电子与Rohm推出的SiC相关解决方案的功能特性。