SiC FET的脉冲电流能力量化
judy-- 周四, 11/30/2023 - 09:58宽带隙(WBG)器件,尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET,正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛
宽带隙(WBG)器件,尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET,正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛
本篇推文继续谈5G射频~
本文(上篇)将讲解5G NR的部分技术方面,以便您能理解那些背后的技术
QM55011 支持扩展的 NB-IoT 和 LTE-M 标准,提供低至 2.5V 的工作电压,实现更广泛的电池选择,并消除升压转换器带来的尺寸和成本影响
射频(RF)滤波器是所有RF/微波系统的基础元件,特别是具备多个信道或频段的无线通信系统
Qorvo推出新一代电路仿真软件QSPICETM,通过提升仿真速度、功能和可靠性,为电源和模拟设计人员带来更高水平的设计生产力。
QPQ3509 的 C 波段覆盖范围结合 QPB9850 的高集成度及紧凑设计,使这些器件非常适合于以尺寸和重量为关键指标的 5G 小型蜂窝基站应用
Qorvo 的 QPB3810 是一款基于氮化镓(GaN)的功率放大器模块(PAM),集成适用于 5G 大规模 MIMO(mMIMO)应用的偏置控制
创建具有多部天线的移动设备涉及到一个极具挑战性的平衡过程。如果考虑到移动设备设计人员面对的所有因素,那么所需要考量的层面则过于繁杂
在 TOLL 封装中,这些器件具有 5.4 mΩ 的导通电阻,比目前市场同类产品中最佳的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管还要低上 4-10 倍