一文搞懂IGBT的损耗与结温计算
judy-- 周一, 01/30/2023 - 15:32本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升
本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件,隔离电压为3.75kVrms
本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。
本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP™ 2 IGBT模块,包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长模块的使用寿命等关键点。
栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能,在IGBT开启时噪音和振铃最小。
今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。
在一些低成本的应用中,特别是对于一些600V小功率的IGBT,业界总是尝试把驱动级成本降到最低。
今天我就来唠一唠IGBT在软开关拓扑中的应用,IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更适用于ZCS。
对于功率因数校正(PFC),通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。
新产品在保持高稳健性的同时,体积也缩小了约10%。这款全新瑞萨器件通过在低功率损耗和高稳健性的权衡中取得最佳平衡,实现了IGBT行业领先的性能水平