安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。
这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率
碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。
本文将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程并展示安森美在这方面的创新技术与成果
随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加
在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。
本文将重点关注双向OBC，并讨论碳化硅在中功率和高功率OBC中的优势。
在相当长的一段时间内，硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料
这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。
将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件