碳化硅 | 电子创新元件网 - 德赢平台,德赢ac米兰官方区域合作伙伴

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。

关于碳化硅 (SiC)，这些误区要纠正

judy-- 周二, 08/15/2023 - 11:16

碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用

judy-- 周二, 07/25/2023 - 11:18

在未来十年及以后，规模经济将继续降低碳化硅器件的成本，主要驱动因素是器件制造向8英寸碳化硅晶圆的过渡

judy-- 周三, 07/19/2023 - 10:12

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格

judy-- 周四, 07/06/2023 - 14:25

全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%

judy-- 周二, 07/04/2023 - 14:23

在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构

judy-- 周二, 06/20/2023 - 10:23

根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。

judy-- 周五, 06/16/2023 - 10:41

本文介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。

judy-- 周五, 05/12/2023 - 07:47

专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果，第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能

judy-- 周四, 05/11/2023 - 09:13

先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域，加速实现“Electrify Our World™”使命

judy-- 周三, 05/10/2023 - 15:19

该器件有6种型号，适用于400 - 800V电池系统，额定电流最高可达30安培