电磁干扰

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言,碳化硅(SiC)MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而,由于高开关速度会导致高漏源电压(VDS)峰值和长振铃期,它们会产生电磁干扰,尤其是在电流大时。

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