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为刻蚀终点探测进行原位测量

随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升,制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀

3D时代值得关注的趋势

随着电子设备精密化,人们愈发要求半导体技术能以更低的成本实现更优的性能和更大的容量。这些趋势推动了半导体技术的重大进步,在过去十年中2D NAND逐渐过渡到3D NAND。

元宇宙的实现需要哪些MEMS技术

元宇宙是Meta®的愿景,即与真实的物理世界连接的虚拟世界互连网络。虽然大家都在热议元宇宙,但多数人对元宇宙的功能和实现方式仍处于雾里看花的阶段

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