栅极驱动器

本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项

本文将带大家全面了解使用安森美隔离式栅极驱动器的电源、滤波设计以及死区时间控制

本设计指南分为三部分，将讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器，并介绍实战经验。本文为第一部分，主要包括隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南。

矽力杰SA52631是一款高压高低边半桥驱动器，用于直接驱动高边和低边通道。半桥通道可用于驱动高端配置中的40V N沟道 MOSFET。

本文将介绍使用不同类型的 GaN FET 进行设计来提高系统设计的功率密度所需考虑的最重要因素。

在PFC应用中，分流器被用来采样功率开关电流或直流母线电流。分流器的位置根据选择的控制方法而不同

NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管的多种应用场景。

碳化硅（SiC）技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品，它们并非完全相同。

无论您是上下前后移动座椅，还是调整腰托，电机都能轻松完成这些操作。除了易于移动的优势之外，功能强大的汽车电动座椅还具有其他优势。

新一代EiceDRIVER 2EDN驱动器芯片系列包括稳定可靠的双通道低边4 A/5 A栅极驱动器IC。它不仅适用于高速功率MOSFET，还适用于基于宽禁带（WBG）材料的开关器件。