栅极驱动

R24C2T25 的隔离电压为 3 kVAC/1 min，具有 3.5 pF 的超低耦合电容和 +/-150 V/ns 的共模瞬态抗扰度

圣邦微电子推出 SGM48211 系列 120V 高压半桥栅极驱动产品。器件可应用于电信，数据通信，便携式存储的 48V 或更低电压系统中的电源转换器

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件，可阻止电流反向流入负载开关

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子

栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。

TLP5222采用SO16L封装，可确保8mm（最小值）的爬电距离和电气间隙，适用于需要实现较高绝缘性能的设备。