东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化
judy-- 周四, 06/29/2023 - 14:19TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻,比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[
TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻,比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[
新产品M3H组将东芝现有产品M3H组的代码闪存容量从512KB(部分为256KB或384KB)扩展至1MB,RAM容量从66KB[2]扩展至130KB。
今天推出的这四款产品采用极为通用的小型HTSSOP28封装,其表贴面积比东芝当前产品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封装大约小39%
该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件(光电二极管阵列)的设计,可实现高效的光耦合,也提高了运行速度,将导通时间最大值缩短至0.25ms
“TCR1HF18B”、“TCR1HF33B”和“TCR1HF50B”分别提供1.8V、3.3V和5.0V的输出电压。该系列稳压器可提供高电压、宽输入电压范围及业界最低[1]的待机电流消耗。
东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路
新款ThermoflaggerTM IC与PTC热敏电阻结合使用,可根据温度改变电阻值进行监测。它们可检测放置在热源附近的PTC热敏电阻的电阻值变化,并输出FLAG信号以显示过温
东芝推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态抑制(CMTI)和150Mbps的高速数据速率
TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。
新产品可以通过外部终端进行指令节点和响应节点之间的模式切换。此外,它具有5μA(典型值)的电流消耗(睡眠)(IBAT_SLP)[6],且待机模式消耗电流低