三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度
仅0.65mm，散热控制能力更强，
适合端侧AI在移动端的应用
LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，
在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性
2024年8月6日，三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。
三星LPDDR5X DRAM封装示意图
三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongCheol Bae表示：
LPDDR5X DRAM在具备卓越的移动端低功耗性能的同时，还能在超轻薄的封装中提供先进的热管理功能，为高性能端侧AI解决方案树立了新标准。三星将持之以恒地与客户密切合作，不断创新，提供能够满足符合时代的低功耗DRAM解决方案。
凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内最薄，采用四层堆叠结构¹的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
三星LPDDR5X DRAM仅有0.65mm，薄如指甲
通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)²工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺³，进一步压缩了封装厚度。
三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
¹ 四层堆叠封装，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成
² 用于保护半导体电路免受高温、冲击和潮湿等外部环境影响的材料
³ 研磨晶圆的背面使厚度变薄的工艺
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