RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术，有时设计具有一定挑战性；但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文，了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。
如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天，有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天，我们拥有电源管理集成电路（PMIC）器件，可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电，以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下面详细介绍。
在这篇博客文章中，我们将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术。我们还将探讨PMIC如何帮助优化射频前端（RFFE）设计以获得最佳性能。
深入探讨RFFE功率管理的系统挑战
在往期博文中，我们探讨了在RFFE中使用GaN 功率放大技术进行设计时遇到的障碍。以下是对相关内容的回顾：
从电力供应的角度来看，还有其他障碍——比如：
事实上，采用PMIC可完全消除上述障碍。
深入了解电源轨
在许多RF放大器系统中，RFFE的电源轨很可能为开关电源。这些开关电源具有高电压摆动和高斜率，这会增加噪声的可能性。此外还会产生少量的电源调制噪声，如测量的电源调制比（PSMR）。该PSMR是对调制到RF发射载波上的缺陷（纹波和噪声）的测量。可以使用非隔离的RF负载点调节器（PMIC中的RF PoL）来减少或消除这种噪声。实施RF PoL/PMIC可为RFFE应用带来最佳运行所需的高精度电压轨、快速动态响应负载，和低噪声。
对于RF功率放大器应用而言，纯净的发射器信号并避免电源干扰非常重要，以免在载波频率周围产生尖峰（其他线路辐射）。这正是RF PoL的优势所在；它能产生高输出电压，有助于优化功率放大器的效率，控制功率放大器件的额定值，并构建一个可调的控制回路，从而提供一个低噪声电源。如下图所示，借助SiC FETs、 ACT43950和ACT43850这三种电源链器件，可以获得全功能的低噪声电源链。
简化的电源、PMIC和RFFE
上述PMIC框图分解如下：
GaN PA PMIC控制器
· ACT43750——是一款高度集成的漏极开关和栅极负压调节器，可实现超快速RF GaN功率放大器漏极开关。此外，它可以自动瞬时保持恒定的RF GaN功率放大器栅极电压偏置时序，并提供动态偏置校准——即针对温度波动、电流坍塌和器件老化进行调整。
当GaN功率放大器因温度漂移和老化而产生漂移时，重新校准偏置点
电源——恒流稳压器和降压RF PoL
· ACT43950——一款高压恒流电容器充电控制器，与Qorvo的SiC FET配合使用，可提供全量程可编程的输出电压轨和电流
· ACT43850——RF PoL降压型DC-DC电源转换器；其使用ACT43950的输出并将其降至为GaN功率放大器优化的良好稳定电压。凭借其先进的配置选项，RFFE系统可以最大限度降低噪声及电磁干扰（EMI），从而获得最高性能。
在上文中，ACT43750调节栅极和漏极——漏极电压范围为10至55V。需要注意的是，如果您的系统设计已经实施了电压轨，ACT43750也可独立使用。在这种情况下，需要添加ACT43750和开关（GaN或Si）。系统中的ACT43750单独为RF系统的GaN器件提供10至55V直流恒定轨（适合此电压范围的GaN功率放大器有：QPD0005M、QPA0017和QPA2612，其它产品请访问qorvo.com/products/amplifiers/power-amplifiers）。但是，如不添加ACT43950和ACT43850，您的设计将需要更大的功率元件与导线，如上所述。
ACT41000可用于低电压解决方案；其漏极电压范围为3至24V。往期博文《使用电源管理模块为GaN功率放大器上电（和断电）》对这一器件进行了概述；此篇博文和相关视频教程（qorvo.com/design-hub/videos/using-advanced-power-management-to-optimize-gan-pa-performance）介绍了如何在系统中设置和使用该器件。
RF系统设计中使用的ACT41000 PMIC
该器件与上述PMIC、SiC FET和GaN功率放大器器件一样，适用于雷达、无线基础设施等领域。
结语
当今的RF系统越来越小，要求更宽的RF带宽、更高的功率、更高的工作温度，且必须比以前的解决方案更加可靠。这通常意味着系统复杂性的增加；但在RF GaN应用中采用 Qorvo的PMIC，能够让复杂的功率树更易于管理。PMIC使控制、操作和性能更为精确、可靠和优化。技术的进步让我们再次“惊叹不已”。现在，采用PMIC，设计工程师可以更好、更轻松地进行设计，同时打造技术高度先进的RFFE系统。
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来源：Qorvo半导体