三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品

三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品,该半桥模块额定电压为3.3kV,绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。该产品正在PCIM Europe 2023(5月9-11日,德国纽伦堡)上展出。

3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模块

近年来,为降低全球社会范围内的碳排放,功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合,特别是在重工业中,这些器件被用于变流器设备,如轨道牵引中的变流系统和直流输电系统。其中,SiC功率半导体能够大幅降低功率损耗,人们对其期待很高。此外,对于大型工业设备,为了进一步提高其转换效率,对高效率功率半导体模块的需求不断增加。

为进一步为大型工业变流设备的高功率输出、高效率和高可靠性做出贡献,三菱电机开发了这款SiC MOSFET模块,采用内置SBD的SiC MOSFET芯片和优化的内部封装结构,能有效降低开关损耗,将很快开始提供样品。至此,三菱电机3.3kV LV100封装共包含4款SiC MOSFET模块和2款Si IGBT模块。

产品特点

集成SBD的SiC-MOSFET,降低功率损耗,提高变流器输出功率、效率和可靠性

采用集成SBD的SiC MOSFET和优化的封装结构,与公司现有的硅功率模块相比,开关损耗降低了91%*4,与现有的全SiC功率模块相比降低了66%*5,从而降低了变流器功率损耗,并有助于提高输出功率和效率。

集成SBD的SiC MOSFET和优化的电流容量提高了变流器的可靠性。

优化的端子布局,适用于不同容量大小的变流器

优化的端子布局利于并联连接,通过并联不同的数量实现变流器的灵活功率配置。

直流和交流主端子布置在两端的封装设计,有助于简化电路设计。

主要规格


本产品为符合《出口贸易管制令》附表1第2(41)3项的产品。

*1:Schottky Barrier Diode
*2:Silicon Carbide碳化硅
*3:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
*4:3.3kV/600A 硅功率模块(CM600DA-66X)
*5:3.3kV/750A全SiC功率模块 (FMF750DC-66A)

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。在2022年《财富》世界500强排名中,位列351名。截止2022年3月31日的财年,集团营收44768亿日元(约合美元332亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

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