推出LPDDR5X后，仅隔两个月成功开发出速度提高13%的新产品，兼具高速度和低功耗
采用HKMG工艺实现性能的极大化
“不断加紧超前的技术开发，将成为IT领域的游戏规则改变者”
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）25日宣布，公司成功开发出当前速度最快的移动DRAM（内存）“LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”，并已向客户提供了样品。
继SK海力士在去年11月推出的移动DRAM LPDDR5X1，将其性能提升成功开发出了LPDDR5T。 本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6Gbps（Gb/s）。公司为了强调其超高速度特性，命名时在规格名称“LPDDR5”上加以“Turbo（涡轮增压）”作为了后缀。
1LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新规格为第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业界首次开发的产品，是第八代LPDDR6正式问世之前，将第七代LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。
同时，LPDDR5T在国际半导体标准化组织(JEDEC)规定的最低电压1.01~1.12V（伏特）下运行。公司强调本次产品兼具了高速度和低功耗的特性。
SK海力士表示：“公司推出每秒8.5Gb速度的LPDDR5X后，仅隔两个月再次突破了技术局限。今后将供应客户所需求的多种容量产品，进一步巩固移动DRAM市场的主导权。”
公司近期向客户提供了将LPDDR5T芯片组合为16GB(千兆)容量的封装样品。该样品的数据处理速度可达每秒77GB，相当于每秒处理15部全高清（Full-HD）电影。
SK海力士计划采用第4代10纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。
另外，SK海力士在本次产品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”2工艺。公司表示：“本次产品通过采用HKMG工艺技术实现了最佳性能表现。坚信在下一代LPDDR6问世之前，大幅拉开技术差距的LPDDR5T将主导该市场。”
2HKMG（High-K Metal Gate）：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺。
IT行业预测，今后在智能手机5G时代，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置的高性能存储器需求将会增长。在这种趋势下，SK海力士期待LPDDR5T的应用范围不仅限于智能手机，还将扩展到人工智能(AI)、机器学习(Machine Learning)、增强/虚拟现实(AR/VR)。
SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示：“公司通过本次新产品的开发，提前满足了客户对高速度产品的需求。今后也将致力于开发引领新一代半导体市场的超前技术，成为IT领域的游戏规则改变者。”
关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com，news.skhynix.com.cn。