【科普小贴士】MOSFET的性能：电容的特性

C_iss、C_rss和C_oss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

C_iss：输入电容（C_iss＝C_gd＋C_gs）

 ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；C_iss越大，延迟时间越长。

C_rss：反向转移电容（C_rss＝C_gd）

 ⇒栅极-漏极电容：C_rss越大，漏极电流上升特性越差，这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。

C_oss：输出电容（C_oss＝C_gd＋C_ds）

 ⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果_Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。

图3-11（a）MOSFET的电容模型

图3-11（b）MOSFET的典型电容特性

文章来源：东芝半导体