ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET：支持xEV/EV主机逆变器和电池提高电压

ROHM开发出“1200V 第４代SiC MOSFET”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。第4代SiC MOSFET实现了业界先进的低导通电阻，针对下一代电动汽车（xEV）高效且小型轻量化的电动系统、第４代SiC MOSFET起到核心驱动作用的主机逆变器系统的小型化和高效化、充电时间随着电动汽车（EV）电池容量的增加而缩短、电池电压提高（800V）等趋势，该产品被寄予厚望。目前，第４代SiC MOSFET可以以裸芯片的形式提供样品。
*2020年6月17日罗姆调查

1200V 第4世代SiC MOSFET的亮点

• ・进一步改进了ROHM自有的双沟槽结构，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下，成功地将单位面积的导通电阻降低了约40％。
• ・通过大幅降低寄生电容，使开关损耗比以往产品降低约50％。
• ・通过实现上述亮点，可减小逆变器和电源等各种功率转换应用的尺寸并降低功耗。

改进了自有的沟槽结构，实现业界先进的低导通电阻

ROHM于2015年世界上第一家成功地实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。一直以来，业界存在降低导通电阻会导致短路耐受时间变短（二者之间存在此消彼长的关系）的问题，但此次开发的第四代SiC MOSFET，通过进一步改进自有的双沟槽结构，与以往产品相比，无需牺牲短路耐受时间，即可成功地将单位面积的导通电阻降低约40％。

大幅降低寄生电容，使开关损耗降低50％

通常，MOSFET的各种寄生电容具有随着导通电阻的降低和电流的提高而增加的趋势，随着寄生电容的增加，开关损耗也会增加，这限制了SiC本来具备的高速开关优势。此次推出的第4代SiC MOSFET产品，通过大幅降低栅漏电容（CGD），成功地使SiC MOSFET开关损耗比以往产品降低约50％。