【科普小贴士】MOSFET的性能：漏极电流和功耗

允许损耗和漏极电流是MOSFET的典型最大额定值，计算如下。
（有些产品采用了不同的电流表达式。）
通过热阻和结温来计算功耗。漏极电流将采用欧姆定律，由计算得出的功耗和导通电阻进行计算。

P_D：功耗

⇒ 器件指定温度条件下允许的功耗

I_D：漏极电流

⇒直流额定值：正向流动的直流电流。（在室温下定义）

I_Dp：脉冲漏极电流

⇒指定脉宽下的最大漏极电流。一般是直流电流的4倍。

文章来源：东芝半导体