【下载】3D硅电容器产品目录

村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。 利用先进的三维结构,不仅薄得惊人,只有100μm,而且使有效静电容量面积相当于80个陶瓷层。并且可以根据客户要求生产更薄的产品。采用线性低分散电介质缩小体积,优化了静电容量值和电气特性。

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